Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL46, 1.1V, 1Rx16, Bulk
Производитель:
Samsung
Артикул:
218160-T
19 020р.
В наличии
Основные характеристики
Игровая (для геймеров)
Нет
Количество контактов
262
Количество модулей в комплекте, шт
1
Количество ранков
1
Количество чипов на модуле, шт
4
Модель
M425R1GB4PB0-CWM
| Основные характеристики | |
| Игровая (для геймеров) | Нет |
| Количество контактов | 262 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов на модуле, шт | 4 |
| Модель | M425R1GB4PB0-CWM |
| Назначение | для ноутбуков |
| Низкопрофильная | Нет |
| Объем одного модуля, ГБ | 8 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Пропускная способность, Мб/с | 44800 |
| Стандарт памяти | DDR5 |
| Суммарный объем, ГБ | 8 |
| Тип | Модуль памяти |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Эффективная частота, МГц | 5600 |
| Прочие характеристики | |
| Вид поставки | OEM |
| Комплект поставки | Модуль памяти |
| Наличие радиатора | Нет |
| Напряжение питания, В | 1.1 |
| Подсветка | Нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 46 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 46 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 46 |
Вы смотрели
Loading product name...
Load...
31 480р.
34 400р.